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높은 큰 파도 고전압 세라믹 일시적인 전압 억제기 3225의 MLV 칩 다중층 배리스터 MVR1210-431G 1210 431V

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0.08 ~ 0.15 USD/PC
가격
높은 큰 파도 고전압 세라믹 일시적인 전압 억제기 3225의 MLV 칩 다중층 배리스터 MVR1210-431G 1210 431V
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풍모
제품 사양
배리스터형: SMD 금속 산화 배리스터
브르엠에스: 275V
VDC: 350V
바리스터 전압: 430(387-473) V
전형적 전기 용량: 100 pF
용인성: ±30%
최대 클램핑 전압: 710V
피이크 전류: 250A
강조하다:

산화아연 배리스터

,

배리스터 큰 파도 보호

기본 정보
원래 장소: 중국
모델 번호: MVR1210-431G
결제 및 배송 조건
포장 세부 사항: 권선에 있는 테이프
배달 시간: 이주
지불 조건: 티 / T는, 웨스턴 유니온
공급 능력: 한달에 100,000 PC를
제품 설명

고전압 고전압 세라믹 임시 전압 억제기 3225 MLV 칩 다층 바리스터 MVR1210-431G 1210 431V

설명

멀티 레이어 칩 바리스터 (MLV) 는 매우 진보된 멀티 레이어 형식 기술로 반도관세라믹에서 제조된 일시적 전압 억제기 (TVS) 이다.튼튼한 보호를 제공할 수 있는, 우수한 일시 에너지 흡수 및 내부 열 분산. 장치는 납 없는 칩 형태, 납 인덕턴스를 제거하고 0 미만의 더 빠른 응답 시간을 보장합니다.5n, 이는 m를 ESD 펄스 및 다른 특정 일시적인 이벤트에 대한 신뢰할 수있는 보호를 보장하기에 충분히 빠릅니다.이 일시적 억제 장치들은 전통적인 제너 다이오드 또는 방사선 MOV보다 훨씬 작은 발자국과 낮은 프로파일을 가지고 있습니다..

크기 적용 표준 에너지 수준
1206, 1210, 1812, 2220, 3220 자동차 AEC-Q200 로드 덤프: 1.5 - 50 J (10 번)
1206, 1210, 1812, 2220 산업 통제 IEC61000-4-5 전압 전류: 3000A (8/20μs)
1210, 1812, 2220, 3220 조명 및 전원 공급 IEC61000-4-5 고장 전압: 470V / 전압: 800A

높은 큰 파도 고전압 세라믹 일시적인 전압 억제기 3225의 MLV 칩 다중층 배리스터 MVR1210-431G 1210 431V 0

크기 (mm)

높은 큰 파도 고전압 세라믹 일시적인 전압 억제기 3225의 MLV 칩 다중층 배리스터 MVR1210-431G 1210 431V 1

종류 길이는 ((L) 너비 ((W) 높은 ((H) 폐지 (L1)
1210 3.20±0.20 20.50±0.20 1.40 (최대) 00.40±0.20

전기 성능

부분
번호
작업
분할
클램핑
최고류
전압
전압
전압
AC
DC
@ 1mA DC
8/20uS
8/20uS (A) Ip (MAX)
VAC
VDC
VB
VC
0603
0805
1206
1210
1812
2220
3220
MVR1210-3R0G
1.4
2
3
2.4 ∙36
9
20
MVR1210-5R0G
2.4
3.3
5
40.06.0
12
20
60
80
MVR1210-8R0G
4
5.5
8
70.0105
14
20
60
80
250
400
MVR1210-120G
7
9
12
10~14
24
20
60
80
250
400
800
MVR1210-180G
11
14
18
15.5·21
30
20
80
100
250
400
800
500
MVR1210-240G
14
18
24
22-27
38
20
80
100
250
500
1200
500
MVR1210-270G
17
22
27
24~30
42
20
80
100
250
500
1200
500
MVR1210-330G
20
26
33
29~36
54
20
80
100
250
500
1200
500
MVR1210-390G
24
30
39
35~42
65
20
80
100
250
500
1200
500
MVR1210-470G
28
36
47
42~52
77
20
80
100
250
500
1200
500
MVR1210-560G
35
45
56
50~62
90
80
100
250
500
1200
500
MVR1210-680G
40
56
68
60~75
110
100
250
500
1200
500
MVR1210-820G
50
65
82
73~91
135
80
200
300
800
500
MVR1210-101G
60
85
100
90~110
165
80
200
300
800
500
MVR1210-121G
75
100
120
108~132
200
200
300
500
500
MVR1210-151G
95
125
150
135~165
250
300
500
500
MVR1210-181G
115
150
180
162~198
300
500
500
MVR1210-201G
130
170
205
184~226
340
500
MVR1210-221G
140
180
220
198~242
360
500
MVR1210-241G
150
200
240
216~264
395
500
MVR1210-271G
175
225
270
243~297
455
500
MVR1210-361G
230
300
360
324~396
595
500
MVR1210-391G
250
320
390
351~429
650
500
MVR1210-431G
275
350
430
387~473
710
400
MVR1210-471G
300
385
470
423~517
775
400

특징 및 이점

• 0402부터 3220 시리즈까지의 전체 범위

• 양방향 클램핑, 높은 에너지

• ESD 보호에 적합

• 빠른 데이터 전송을 위한 낮은 용량 설계 (2.5pf)

• 배열 타입 설계

• 매우 낮은 누출 전류

• 잘 굽힐 수 있다

• 표면 장착 형태 요인

• 작동 환경 온도:

• 짧은 반응 시간

• AEC-Q200 등급 사용 가능

• 작동 전압 (300VAC/385VDC까지)

• 소형적 인 발자국

• 고전압 및 전류 급류에 견딜 수 있는 능력

• 낮은 클램핑 전압

• 낮은 누출 전류

신청서

• 자동차 전자제품

• 통신 인프라

• I/O 포트 및 컨트롤러

• LED 조명

• 의료용 기기

• 산업 및 상업용 전력 시스템 보호

• ESD 보호 • 로드 덤프 및 점프 시작 보호

• 전압 급증 보호

• 산업용 장비

• 전력 공급 장치

• 기지국

제품 체크리스트

• 보호 해야 할 시스템 작동 전압은 얼마입니까?

• 보호 된 시스템 이 견딜 수 있는 최대의 일시적 전압 은 무엇 입니까?

• 시스템 은 어떤 과전압 에 노출 될 수 있습니까? 파동 형태? 진폭? 지속 기간? 파동 이 반복 될 수 있는가? 얼마나 많은 전력 이 분산 될 것 입니까?

• 귀하의 응용 프로그램의 운영 조건은 무엇입니까? 당신은 사양이 있습니까?

• 애플리케이션에는 크기 제한이 있습니까?

높은 큰 파도 고전압 세라믹 일시적인 전압 억제기 3225의 MLV 칩 다중층 배리스터 MVR1210-431G 1210 431V 2

높은 큰 파도 고전압 세라믹 일시적인 전압 억제기 3225의 MLV 칩 다중층 배리스터 MVR1210-431G 1210 431V 3

설계자 를 위한 정보

회로 내에서 설계하기 위한 TVS를 선택할 때 회로 조건을 충족시키기 위해 몇 가지 특성 매개 변수를 신중하게 고려해야합니다. 다음 지침이 권장됩니다.

1선택 된 TVS의 급증 처리 능력은 보호 회로의 예상되는 일시적 급증 전류를 분산 할 필요성을 충족해야합니다.

2선택된 TVS의 클램핑 전압은 보호 회로의 최대 허용 작동 전압보다 낮아야 합니다.

3고속 데이터 전송 상황에서는 선택 된 TVS의 용량을 고려해야합니다.

4TVS의 특수한 요구 사항은 ESD 예방과 같은 것이 있습니다. 저희에게 연락하십시오.

5TVS를 선택할 때 TVS의 작동 전압은 회로의 정상적인 작동 전압보다 크거나 같아야 합니다.

높은 큰 파도 고전압 세라믹 일시적인 전압 억제기 3225의 MLV 칩 다중층 배리스터 MVR1210-431G 1210 431V 4

6보호 원칙: 전압이 바리스토르의 임계 이상으로 증가하면 억제기는 급격히 증가하는 전류를 흡수합니다. 과전압은 상당히 약화됩니다.

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