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지상 산 MLV MLCV SMD 1608 큰 파도 보호를 위한 미터 다중층 칩 금속 산화물 배리스터 MVR0603-8R0G 8V 30A

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지상 산 MLV MLCV SMD 1608 큰 파도 보호를 위한 미터 다중층 칩 금속 산화물 배리스터 MVR0603-8R0G 8V 30A
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풍모
제품 사양
배리스터형: 다층 칩 금속 산화 배리스터
크기: 0603(1608)
맥스 VAC: 4V
VDC: 5.5V
바리스터 전압: 8V(7.0-9.9)
전형적 전기 용량: 260pF
최대 클램핑 전압: 15V
맥스. 피이크 전류: 30A
강조하다:

운동 금속 산화물 배리스터

,

배리스터 큰 파도 보호

기본 정보
원래 장소: 중국
모델 번호: MVR0603-8R0G
결제 및 배송 조건
포장 세부 사항: 권선, 권선 당 4000pcs에 있는 테이프
배달 시간: 1 주
지불 조건: T는 / T
공급 능력: 달 당 100,000,000 조각
제품 설명

표면 마운트 MLV MLCV SMD 1608 메트릭 다층 칩 금속 산화물 바리스토르 MVR0603-8R0G 8V 30A 급증 보호

설명


MVR 시리즈는 일시적 전압 억제를 위한 금속 산화질소 기반 칩 바리스터이다. 그들은 제너 다이오드와 유사한 비선형 전압-전류 행동을 가지고 있다. 그러나 다층 구조 바리스터는제너 다이오드보다 전기 신뢰성이 우수합니다.또한, MVR 시리즈는 높은 클램핑 전압과 낮은 누출 전류와 같은 더 나은 전기 특성을 보여줍니다.

지상 산 MLV MLCV SMD 1608 큰 파도 보호를 위한 미터 다중층 칩 금속 산화물 배리스터 MVR0603-8R0G 8V 30A 0

응용 프로그램


* 모든 종류의 IC에서 일시적 전압 소음으로부터 보호
* ESD, EFT 및 전력 I/O 포트에서 보호
* 제너 다이오드 교체

특징


* 칩 바리스터는 표면 장착에 높은 신뢰성을 제공합니다
* 넓은 작업 전압 범위 (VW = 5.6V ~ 30V)
* 좋은 클램핑 비율과 낮은 누출 전류
* Ni와 용접의 전압은 더 높은 용접성을 제공합니다.
* 넓은 작동 온도 (-55 ~ 125 °C)
* 다양한 용량이 사용 가능

차원 (mm)

지상 산 MLV MLCV SMD 1608 큰 파도 보호를 위한 미터 다중층 칩 금속 산화물 배리스터 MVR0603-8R0G 8V 30A 1

모델 1005 ((0402) 1608 ((0603) 2012 ((0805) 3216 ((1206) 3225(1210) 4532 ((1812) 5750 ((2220) 8050 ((3220)

길이

(L)

10.00±0.15 10.60±0.20 20.00±0.20 3.20±0.20 3.20±0.20 40.50±0.30 50.70±0.30 80.0±0.30
너비 ((W) 00.50±0.15 00.80±0.20 1.20±0.20 10.60±0.20 20.50±0.20 3.20±0.20 50.00±0.30 50.00±0.30
높은 ((H) 0.70max 0.90max 1.30max 1.60max 2.50max 3.20max 4.50max 4.50max

SMD 금속 산화물 바리스터 시리즈 전기 매개 변수

부분
번호
작업
분할
클램핑
최고류
전압
전압
전압
AC
DC
@ 1mA DC
8/20uS
8/20uS (A) Ip (MAX)
VAC
VDC
VB
VC
0603
0805
1206
1210
1812
2220
3220
1.4
2
3
2.4 ∙36
9
20
2.4
3.3
5
40.06.0
12
20
60
80
4
5.5
8
70.0105
14
20
60
80
250
400
7
9
12
10~14
24
20
60
80
250
400
800
11
14
18
15.5·21
30
20
80
100
250
400
800
500
14
18
24
22-27
38
20
80
100
250
500
1200
500
17
22
27
24~30
42
20
80
100
250
500
1200
500
20
26
33
29~36
54
20
80
100
250
500
1200
500
24
30
39
35~42
65
20
80
100
250
500
1200
500
28
36
47
42~52
77
20
80
100
250
500
1200
500
35
45
56
50~62
90
80
100
250
500
1200
500
40
56
68
60~75
110
100
250
500
1200
500
50
65
82
73~91
135
80
200
300
800
500
60
85
100
90~110
165
80
200
300
800
500
75
100
120
108~132
200
200
300
500
500
95
125
150
135~165
250
300
500
500
115
150
180
162~198
300
500
500
130
170
205
184~226
340
500
140
180
220
198~242
360
500
150
200
240
216~264
395
500
175
225
270
243~297
455
500
230
300
360
324~396
595
500
250
320
390
351~429
650
500
275
350
430
387~473
710
400
300
385
470
423~517
775
400

바리스토르 대 TVS 다이오드

ESD 전류의 상승 시간은 미만 나노초, 지속 시간은 수십 나노초이며 그 진폭은 10KV 이상입니다. 따라서 ESD로부터 보호 장치에도 빠른 반응 시간이 필요합니다.
TVS 다이오드는 반응시간과 처리 능력의 측면에서 LATTRON의 바리스토르와 비슷한 성능을 가지고 있습니다.
운영 방향성, 극성 및 소형화

LATTRON® VARISTOR TVS 다이오드
반응 시간 < 1n > 1n
ESD 처리 능력 8kV, 10주기
누출 전류 모든 스펙트럼이 낮습니다. 높은 경우
저전압 스펙
전류가 낮습니다.
처리 능력
모든 스펙트럼이 높습니다. 고전압 스펙
작동 온도 특징은
80°C 이상 악화

특징은

25°C 이상에서 악화

크기 미니 0603mm 미니 1608mm

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