큰 흡수하는 비선형 큰 크기 275V RMS 32mm MYL 금속 산화물 배리스터 운동 32D431K 전압 의존하는 저항기 VDR
짧은 소개
배리스터는 주로 금속 산화물 반도체 성분의 주요 물자로 산화아연으로 구성된 비선형 저항기이고, 그들은 상칭 (비 극성)와 불균형으로 전압 암페어 특성에 따라 (극성에) 분할될 수 있습니다. 비선형 저항기는 전압이 1개의 설정값을 도달할 때 전압에 더 과민합니다, 급속하의 저항 행위. 높은 효과적인 비선형 계수, 큰을 통하여 교류 수용량, 빠른 활동 및 계속 교류의 특성 때문에, 그들은 각종 작동 큰 파도 & 번개 파 전압의 흡수 및 정상 작동과 방해하거나 각종 회로 요소를 손상을 입히는 그런 전압을 방지할 수 있는 전자 장비의 번개 보호를 위해 주로 이용됩니다.
차원 (mm)
| 32D201K | 11 |
| 32D221K | 11 |
| 32D241K | 11 |
| 32D271K | 11 |
| 32D301K | 12 |
| 32D331K | 12 |
| 32D361K | 12 |
| 32D391K | 12 |
| 32D431K | 12 |
| 32D471K | 12 |
| 32D511K | 12 |
| 32D561K | 12 |
| 32D621K | 12 |
| 32D681K | 13 |
| 32D751K | 13 |
| 32D781K | 13 |
| 32D821K | 13 |
| 32D911K | 13 |
| 32D951K | 14 |
| 32D102K | 14 |
| 32D122K | 14 |
| 32D142K | 15 |
| 32D162K | 16 |
| 32D182K | 18 |
전기 모수
| 부품 번호 |
Vac (v) |
Vdc (V) | V1mA (V) | IP (아) | Vc (V) | I (아) | (j) | @1KHz |
| 32D330K | 20 | 26 | 33 (29.5-36.5) | 40 | 65 | 8000 | 40 | 30000 |
| 32D390K | 25 | 31 | 39 (35-43) | 40 | 77 | 8000 | 50 | 22000 |
| 32D470K | 30 | 38 | 47 (42-52) | 40 | 93 | 8000 | 60 | 19000 |
| 32D560K | 35 | 45 | 56 (50-62) | 40 | 110 | 8000 | 70 | 16700 |
| 32D680K | 40 | 56 | 68 (61-75) | 40 | 135 | 8000 | 85 | 15000 |
| 32D820K | 50 | 65 | 82 (74-90) | 200 | 135 | 20000 | 100 | 12800 |
| 32D101K | 60 | 85 | 100 (90-110) | 200 | 165 | 20000 | 125 | 10500 |
| 32D121K | 75 | 100 | 120 (108-132) | 200 | 200 | 20000 | 150 | 8700 |
| 32D151K | 95 | 125 | 150 (135-165) | 200 | 250 | 20000 | 190 | 7000 |
| 32D181K | 115 | 150 | 180 (162-198) | 200 | 300 | 20000 | 225 | 5800 |
| 32D201K | 130 | 170 | 200 (180-220) | 200 | 340 | 25000 | 250 | 5200 |
| 32D221K | 140 | 180 | 220 (198-242) | 200 | 360 | 25000 | 270 | 5150 |
| 32D241K | 150 | 200 | 240 (216-264) | 200 | 395 | 25000 | 290 | 5100 |
| 32D271K | 175 | 225 | 270 (243-297) | 200 | 455 | 25000 | 300 | 4800 |
| 32D301K | 190 | 250 | 300 (270-330) | 200 | 500 | 25000 | 330 | 4550 |
| 32D331K | 210 | 275 | 330 (297-363) | 200 | 550 | 25000 | 360 | 4300 |
| 32D361K | 230 | 300 | 360 (324-396) | 200 | 595 | 25000 | 380 | 3900 |
| 32D391K | 250 | 320 | 390 (351-429) | 200 | 650 | 25000 | 400 | 3200 |
| 32D431K | 275 | 350 | 430 (387-473) | 200 | 710 | 25000 | 430 | 3100 |
| 32D471K | 300 | 385 | 470 (423-517) | 200 | 775 | 25000 | 460 | 2800 |
| 32D511K | 320 | 415 | 510 (459-561) | 200 | 845 | 25000 | 510 | 2700 |
| 32D561K | 350 | 460 | 560 (504-616) | 200 | 925 | 25000 | 540 | 2550 |
| 32D621K | 385 | 505 | 620 (558-682) | 200 | 1025년 | 25000 | 570 | 2400 |
| 32D681K | 420 | 560 | 680 (612-748) | 200 | 1120년 | 25000 | 600 | 2200 |
| 32D751K | 460 | 615 | 750 (675-825) | 200 | 1240년 | 25000 | 620 | 2000년 |
| 32D781K | 485 | 640 | 780 (702-858) | 200 | 1290년 | 25000 | 660 | 1900년 |
| 32D821K | 510 | 670 | 820 (738-902) | 200 | 1355년 | 25000 | 700 | 1800년 |
| 32D911K | 550 | 745 | 910 (819-1001) | 200 | 1500년 | 25000 | 750 | 1300년 |
| 32D951K | 575 | 765 | 950 (855-1045) | 200 | 1570년 | 25000 | 780 | 1200년 |
| 32D102K | 625 | 825 | 1000년 (900-1100) | 200 | 1650년 | 25000 | 810 | 1100년 |
| 32D112K | 680 | 895 | 1100년 (990-1210) | 200 | 1815년 | 25000 | 910 | 1000년 |
| 32D122K | 750 | 990 | 1200년 (1080-1320년) | 200 | 1980년 | 25000 | 960 | 920 |
| 32D142K | 880 | 1140년 | 1400년 (1260-1540년) | 200 | 2310 | 25000 | 1020년 | 800 |
| 32D162K | 1000년 | 1280년 | 1600년 (1440-1760년) | 200 | 2640 | 25000 | 1080년 | 700 |
특징
고분고분한 무연, HalogenFree와 RoHS.
360J까지 에너지 흡수 기능 (WTM)
넓은 운영 전압 범위 VM (AC) RMS 130V에 1000V
주위 85ºC까지 감세
32D 금속 산화물 배리스터 (MOV), 에폭시 수지와 더불어, Imax 25kA.
직경과 간격은 디자인 가늠자 안에 효과적으로 controlell입니다.
봉우리 전류는 세계 주요한 수준 도달됩니다. 그것은 8/20us 전류, 봉우리 전류 Imax 40kA 펀치를 2배 줄 수 있습니다.
열 안정성. 145 도를 가진 납땜 열 커트오프 일원은 1A 현재의 밑에, 커트오프 시간 5개 senconds가 없습니다; 커트오프 시간은 1.5A 현재의 밑에 3-5 초입니다.
금속 산화물 배리스터 신청
고품질 배리스터를 위한 시장 수요에 Accroding는 금속 산화물 배리스터 생산을 위해, 문제에 기초를 두어 생산 절차 도중 나가거든, Aolittel는 믿을 수 있던 고성능의 종류를 개발했습니다 큰 파도 보호 장치 (SPD)를 위한 배리스터 스페셜, 새로운 생산 작업장을 특별히 설치했습니다.
다른 전자 공학 지역의 큰 파도 보호에서 넓게 적용해:
1.Telecommunications
2.Electricity
3.Home 기구
보기: 전화, 변환기, 힘 미터, 전원 분배 장, 소켓 상자, 배급 상자, 전원 스위치, 힘 번개 보호 상자, 전압 조정기, 피뢰기 (SPD 큰 파도 보호 스페셜).
일 원리
나머지 국가에 있는 운동 배리스터에는, 보호하는 전자 부품에 관련된 본래 디자인의 변화 회로 특성 없이, 아주 높은 임피던스 (수 100만 옴)가 있을 때. 순간 서지 전압을 (배리스터의 고장 전압 보다는 좀더) 달성하십시오 경우, 배리스터 임피던스는 낮 (약간 옴만.) 본래 단락을 일으키는 원인이 되었습니다. 즉 전자 제품 또는 성분은 이렇게 보호됩니다.
